一种用于GSM/WCDMA/LTE的宽带功率放大器
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引用本文:潘茂林,刘蕾蕾.一种用于GSM/WCDMA/LTE的宽带功率放大器[J].南京邮电大学学报:自然科学版,2020,40(2):62~65
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作者单位
潘茂林 南京邮电大学 电子与光学工程学院、微电子学院江苏南京210046 
刘蕾蕾 南京邮电大学 电子与光学工程学院、微电子学院江苏南京210046 
中文摘要:基于GaAs HBT工艺设计了一款高线性、全集成的宽带功率放大器(PA)。芯片采用倒扣的装配方式。该功率放大器包括驱动级和功率级,工作频率为1.71~2.05 GHz。通过多级匹配增大带宽,实现了对GSM/WCDMA/LTE中多个上行频段的覆盖。测试结果表明,在整个工作频带内功率增益约为30 dB。工作电压为3.5 V,输出功率为28 dBm,采用10 MHz 50RB QPSK LTE信号测试时,功率附加效率(PAE)约为37%,邻信道泄漏比(ACLR)约为-38 dBc。芯片尺寸为0.755 mm×0.8 mm。
中文关键词:功率放大器  偏置电路  射频前端
 
Broadband power amplifier for GSM/WCDMA/LTE
Abstract:A highly linearized and fully integrated broadband power amplifier (PA) based on GaAs HBT process is presented.The chip is assembled using a flip method.The PA,including a driver stage and a power stage,operates from 1.71GHz to 2.05GHz.To coverage of multiple uplink bands,multi stage matching networks are used.The measurement results show that the power amplifier exhibits a linear power gain of 30 dB.Besides,when the operating voltage is 3.5 V,the output power is 28 dBm,and a 10 MHz 50 RB QPSK LTE signal is chosen as the input signal,the power added efficiency (PAE) and the adjacent channel leakage ratio(ACLR) of PA are about 37% and -38 dBc,respectively.The PA chip size with an on chip bias circuit is only 0.755 mm×0.8 mm.
keywords:power amplifier(PA)  bias circuits  radio frequency front end
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